Разработка высоковольтного драйвера газоразрядного экрана на полиимидном носителе

контактных площадок в зоне контактирования в шахматном порядке.

2.22. При длине проводника, свободного от полиимида, между защитной

полиимидной рамкой и зоной контактирования более 1000мкм необходимо вводить

полиимидные рамки.

Ближняя к зоне присоединения к плате полиимидная рамка (в зоне

формовки) должна быть разрезана по углам (в случае четырехстороннего

расположения выводов). При этом ширина полиимидных перемычек в зоне

формовки должна быть не более 200 мкм, а расстояние между перемычкой и

защитной полиимидной рамкой (при ее наличии), расположенной между защитной

перемычкой в зоне формовки, должно быть не менее 300 мкм.

2.23. В технически обоснованных случаях размеры, указанные в разделах

2,3 и вводимые в формат, могут уточняться при обязательном согласовании с

технологом.

2.24. Контролируемыми размерами на плате гибкой являются :

ширина вывода в зоне присоединения к кристаллу,

ширина вывода в зоне присоединения к плате.

2.25. В технически обоснованных случаях указывать размеры между

крайними выводами в зоне присоединения к кристаллу в каждом ряду, между

внутренними противоположными сторонами защитной полиимидной рамки по двум

направлениям, между внутренними сторонами реперных элементов с допуском (

50 мкм., указывающих линию присоединения золотых объемных выводов (ЗОВ).

2.26. В чертеже на плату гибкую указывать размеры, обеспечивающиеся

инструментом :

межосевое расстояние базовых отверстий с допуском,

расстояние между внешними сторонами реперных элементов с допуском,

расстояние от базовых отверстий до внешней стороны реперного элемента

с допуском,

ширину полиимидных рамок и перемычек и расстояния между ними.

3. МИНИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ РАЗМЕРЫ ЭЛЕМЕНТОВ ТОПОЛОГИИ

3.1. Зона монтажа.

3.1.1. Зона присоединения к кристаллу.

3.1.1.1. Ширина выводов в зоне присоединения к кристаллу должна

соответствовать размеру КП кристалл -10мкм, допустимые отклонения по

табл.4, графа 3, а допустимые размеры фотошаблонов при их изготовлении

должны соответствовать данным, указанным в таблице 5.

3.1.1.2. Ширина опорной полиимидной рамки должна быть не менее 300

мкм.

3.1.1.3. Ширина защитной полиимидной рамки должна быть 300-500 мкм.

3.1.1.4. Величина заходов выводов на опорную полиимидную рамку должна

быть не менее 150 мкм.

3.1.1.5. Величина захода полиимидной защитной рамки на пассивацию

кристалла должна быть не менее 10 мкм.(в готовом виде).

3.1.1.6. Расстояние между внутренними противоположными сторонами

защитной полиимидной рамки должно соответствовать указанному в таблице 3.

3.1.1.7. Расстояние между КП кристалла и полиимидной опорной рамкой

должно быть 50-200 мкм (в готовом виде)

3.1.1.8. В технически обоснованных случаях, допускается использование

выводов в консольном варианте, при этом выводы должны выходить за пределы

контактных площадок на 10-20 мкм.

3.1.2. Зона присоединения к плате.

3.1.2.1. Ширина выводов в зоне присоединения к плате, допустимые

отклонения должны соответствовать таблице 5, а допустимые размеры

фотошаблонов должны соответствовать данным, указанным в табл. 6.

3.1.2.2. Длина выводов в зоне присоединения на плату должна быть 500-

1000 мкм, в зависимости от конкретной конструкции платы гибкой по

согласованию с технологом.

3.1.2.3. Ширина реперного элемента ( 100мкм, длина реперного элемента

100-200 мкм.

Таблица 4

| | | |

|Размер КП на кристалле |Зазор между КП |Ширина вывода в КД |

|(мкм) |(мкм) |на ПН (мкм) |

|100 |( 60 |100-40 |

|120 |( 60 |110-40 |

|130 |( 70 |120-50 |

|140 |( 70 |130-50 |

|150 |( 70 |130-50 |

Таблица 5

| | |

|Шаг выводов (мкм) |Ширина вывода в КД|

| |на ПН (мкм) |

|0,5 | +50 |

| |250 |

|0,625 |-10 |

| | +20 |

|0,625 |300 |

| |-40 |

Таблица 6

| | | | | |

| +50 | |320 | | |

|250 |300 |(35 на |300 ( 5 |320 ( 5 |

| +20 | |340 | | |

|300 |320 |(20 на |320 ( 5 |340 ( 5 |

3.3. Конструкция для крепления кристалла

при ультразвуковой сварке.

При сборке микросхем с применением полиимидного носителя с облуженными

Al выводами, после технологических процессов, таких как, ломка пластин на

кристаллы, укладка кристаллов в тару и контроль внешнего вида, возникает

необходимость присоединить полиимидные выводы (паучок) непосредственно к

самому кристаллу.

Разработанный механизм перемещения позволяет зафиксировать сам

кристалл на фиксаторе, сначала с помощью откачки воздуха из- под кристалла,

а затем уже "губками", которые окончательно закрепляют кристалл с четырех

сторон и не позволяют ему смещаться при механических нагрузках во время

УЗС.

Предусмотрено перемещение закрепленного кристалла для проведения

ультразвуковой сварки по трем координатам : x, y, z и по углу наклона.

Чертежи прилагаются.

ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКАЯ

ЧАСТЬ

Глава 4.

4.1. Анализ научно-технической информации

по сварным узлам лепестковых выводов

бескорпусных БИС.

Анализ научно-технической информации показал, что ведущие зарубежные

фирмы считают наиболее перспективные для сборки многовыводных СБИС и

активно внедряют метод автоматической сборки на ленточном носителе (АСЛН).

Существует два основных варианта этого метода:

1- с использованием группового присоединения золотых контактных

столбиков на контактных площадках кристаллов к медным многовыводным

рамкам на гибком ленточном носителе;

2- с использованием присоединения алюминиевых контактных площадок к

алюминиевым многовыводным рамкам на ленточном носителе сваркой.

Зарубежные фирмы, главным образом Японские , используют в основном 1-ый

вариант. Фирма National (США) применяет метод АСЛП на основе однослойной

медной ленты с контактными выступами.

Непрерывное совершенствование процессов присоединения лепестковых

выводов к контактным площадкам кристаллов позволяет создавать схемы с

количеством выводов до 500 и более. При этом лепестки монтируются на

кристалл с шагом 0.2 мм и менее при ширине лепестка 65-100 мкм. Основной

метод присоединения - групповая пайка медных луженых выводов к золотым

выступам на кристалле импульсно нагретым инструментом. в меньшей степени

используется термокомпрессионная сварка двухслойных золоченых выводов к

золотым выступом на кристалле . только в отдельных случаях используются

алюминиевые лепестки, привариваемые к алюминиевым контактным площадкам на

кристалле.

Реализация бескорпусных ИС на базе использования гибкого носителя

системы выводов типа алюминий-полиимид и медь-диэлектрическая пленка

позволяет повысить надежность соединений и устойчивость конструкции в целом

к воздействию специальных факторов. анализ надежности бескорпусных БИС на

гибком носителе проводился в ряде работ, в том числе и исследования

напряженного состояния сварных соединений м сборочных узлов при их монтаже

в устройства РЭА.

С целью повышения надежности при монтаже кристаллов со столбиковыми

выводами на подложки используют различные конструктивные решения с целью

компенсации разницы в коэффициентах термического расширения.

Например, при монтаже кристаллов с матричным расположением выводов

используют составные столбики припоя, сформированные на полиимидных

пленках.

Повышение качества и надежности соединений лепестковых выводов во

многом определяется правильным методом и параметров монтажа соединений.

Так, например, при групповом монтаже лепестковых выводов постоянно или

импульсно нагреваемым инструментом на столбиковые выводы кристаллов ИС

требуется обязательное программирование усилие сжатия при сварке или пайке.

это особенно важно, если ведется сварка, например Au-Au, или сварка-пайка с

малыми толщинами припоя на рамках выводов. Оптимальная прочность соединений

обеспечивается при определенных сочетаниях температуры нагрева инструмента

и усилия. См рис 6.

[pic]

рис. 6

Сварка ультразвуком относится к высокоскоростному процессу пластической

деформации, соизмеримому с процессом листовой прокатки или ковки (2-5

м/сек). такие процессы сопровождаются выделением большого количества тепла,

приводящего к росту температуры контактирующих тел.

4.2. Оценка напряжений в сварных соединениях

бескорпусных БИС.

Качество и эксплуатационная надежность сварных узлов при монтаже

лепестковых выводов на кристалл и на подложку ГИС будут предопределяется их

конструктивным исполнением, методом монтажа и уровнем напряжений,

возникающих в сварных или паянных соединениях.

Рассмотрим конструктивное исполнение присоединения кристалла с точки

зрения возникающих в нем напряжений.

В случае присоединения кристалла с балочными выводами напряжения в

выводах (лепестках) определяются по формуле

(л=Ел/lл*(bкр*(кр*(Tкр+2*lл*(л*(Tл-l*(п*(Tп)

Где (л - напряжения растяжения в лепестке; Ел - модуль Юнга материала

лепестка; (кр, (л, (п - коэффициенты линейного расширения материала

кристалла, лепестка и подложки при монтаже и эксплуатации. См. рис 7

[pic]

рис. 7

1 - кристалл ; 2 - лепестковые выводы

4.3. Конструктивное исполнение

сварных узлов.

При монтаже лепестковых выводов на кристалл от конструктивного

исполнения и правильного выбора размеров в большой степени будет зависеть

эксплуатационная надежность изделий.

При сварке лепесткового вывода к кристаллу БИС, одним из вариантов

может быть схема, представленная на рис. 8 В этом случае алюминиевый вывод

закреплен на полиимидных рамках (внутренней и внешней частью относительно

сварного соединения).

При такой конструкции имеются ограничения минимального размера " l ",

который выбирается исходя из относительного допустимого удлинения материала

вывода при растяжении ( (l ). В этом случае оценка минимального размера "

l ", проводится по формуле:

(П + 0,5*(Al

l МИН = --------------

( l *(2+( l)

где : l МИН - минимальная длина вывода;

(П , (Al - толщина пленки и алюминия;

( l - относительное удлинение материала вывода.

При монтаже лепестковых выводов,жестко закрепленных в полиимидной

рамке, групповой импульсной пайкой на столбиковые выступы кристалла,

расчетная формула выглядит так :

lЛ ( (EЛ * bкр /2)*((кр*(Tкр)/((2*(СР*hСМ/(л)-EЛ*(Л*(TЛ

где : EЛ , (СР , (Л - модуль упругости, допустимое напряжение

среза, коэффициент линейного расширения материала вывода;

hСМ , (л - высота столбика и толщина вывода;

(Tкр , (TЛ - температура нагрева кристалла и лепестка

bкр - размер кристалла.

[pic]

рис. 8

1 - алюминиевый вывод; 2 - внутренняя полиимидная рамка;

3 - кристалл; 4 - наружная полиимидная рамка.

Рассмотрим зависимость прочности сварного соединения от ( сварного

инструмента и расстояния от КП до защитного кольца.

На рис. ... приведены зависимости P=f(l) для случаев использования

сварочных инструментов с рабочим торцом (100, 130 мкм. Согласно рисунку 9

при l=30 мкм ((100) прочность стабилизируется, однако, окончательная

стабилизация прочности наступает при l=40-50 мкм, т.к. при l=30 мкм имеет

место отрыв по месту сварки в 50% случаев, из-за напряженного состояния

узла.

При размере торца сварочного инструмента (130 мкм при l=30 мкм еще

сказывается эффект "подреза", и превышение средней прочности сварных

соединений при l=60 мкм объясняется увеличением зоны взаимодействия.

[pic] рис. 9

4.4. Расчет оптимальной рабочей длины балки

в зависимости от толщины полиимида

и толщины фольги.

4.5. Технологические рекомендации

по выполнению сварных узлов

бескорпусных БИС.

Прочностные характеристики и уровень надежности сварных и паянных

соединений зависят в большей степени от правильного выбора сварного или

паянного соединения, уровня и характера деформирования зоны сварки,

сочетания соединяемых материалов.

При сварке плоских выводов на контактные площадки кристаллов БИС

прочность соединения зависит от характера деформации. Наиболее высокой

прочностью обладает сварное соединение с ребрами жесткости. Такой вид

наиболее оптимален при ограниченной ширине вывода. Вид сварной точки с

оптимальным соотношением размеров, выполненной ультразвуковой сваркой,

показан на рис.11.

[pic]

рис. 11

LСОЕД = (2..4)(Л ;

BК = (Л

RК = 0,5*(Л ;

hСОЕД = (0,5..0,7)*(Л

При монтаже лепестковых выводов на контактные площадки кристалла для

снижения механических напряжений, возникающих из-за неравномерного

деформирования и возможного смещения защитных полиимидных рамок необходимо

проводить сварку выводов в определенной последовательности - рис. 12.

[pic]

рис. 12

1 - кристалл ;

2 - защитные полиимидные рамки ;

3 - алюминиевые выводы .

I - VIII - последовательность сварки

При ультразвуковой сварке плоских выводов с контактными площадками

подложек для получения оптимальной прочности соединения необходимо

правильно выбирать размеры инструмента и величину деформации вывода.

Оптимальными являются следующие соотношения :

Du = dСОЕД = (0,37...0,4)*bЛ

hДЕФ = (0,4...0,5)* (Л

С ( dСОЕД

где : Du - диаметр инструмента;

bЛ - ширина лепестка;

hДЕФ - величина деформации вывода по толщине;

(Л - толщина лепестка;

С - расстояние от конца вывода до центра точки.

Параметры режима ультразвуковой сварки лепестковых выводов на плату

оптимизируются на основе уравнения регрессии для конкретного типоразмера

соединения. За оптимальные параметры можно принять : удельное давление 22 -

30 Н/мм2 ; длительность импульса 50 - 60 мс; мощность ультразвуковых

колебаний подбирается экспериментально.

Итак, общие технологические рекомендации по сварке выглядят следующим

образом :

минимальная длина алюминиевого вывода должна рассчитываться по формуле

(П + 0,5*(Al

l МИН = --------------

( l *(2+( l)

При УЗС алюминиевого вывода к КП кристалла и подложки сварная точка

должна формироваться с ребрами жесткости крестообразной формы за счет

специальной конструкции рабочего торца инструмента. При этом ребра

жесткости формируются за счет канавок на инструменте с радиусом, равным

половине толщины алюминиевого вывода. При сварке на подложку выводов

(лепестков) относительно большой ширины диаметр сварной точки должен

составлять около 0,4 от ширины вывода, при этом расстояние от центра

сварной точки до конца вывода должно быть не меньше диаметра сварной точки.

При одиночной сварке выводов к кристаллу должен реализовываться

определенный алгоритм: сначала свариваются выводы с одной стороны

кристалла, затем с противоположной, а угловые выводы свариваются в

последнюю очередь в такой же последовательности.

При групповой сварке лепестковых выводов к шариковым столбикам на

кристалле необходимо обеспечить следующее:

- программирование усилия сжатия (удельного давления) с определенной

скоростью нарастания (не более 200 Н/мм2с), оптимизацией максимального

значения (до 50-60 Н/мм2) и обязательной промежуточной ступенью нагружения

(на уровне 0,4-0,5 от максимального);

- наличие системы взаимной ориентации инструмента и кристалла в

процессе нагружения для обеспечения параллельности торца инструмента и

поверхности кристалла.

РАСЧЕТ СЕБЕСТОИМОСТИ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО ДРАЙВЕРА ГАЗОРАЗРЯДНОГО ЭКРАНА И

ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ПУТЕЙ ЕЕ СНИЖЕНИЯ

КОНСУЛЬТАНТ : Мормуль Н.Ф.

СТУДЕНТ : Семенов А.Г.

5.1. ПОНЯТИЕ СЕБЕСТОИМОСТИ.

При производстве любой продукции неизбежны издержки, связанные с ее

изготовлением и реализацией. Отражением уровня этих издержек или затрат

является себестоимость производимых изделий.

Себестоимость продукции представляет собой стоимостную оценку

используемых в процессе производства продукции природных ресурсов, сырья,

материалов, топлива, энергии, основных фондов, трудовых ресурсов , а так же

других затрат на ее производство и реализацию.

В себестоимость продукции включаются : затраты, непосредственно

связанные с производством продукции ( работ, услуг ), обусловленные

технологией и организацией производства , включая затраты по контролю

производственных процессов и качества выпускаемой продукции ; затраты,

связанные с использованием природного сырья ; затраты на обслуживание

производственного процесса ; затраты по обеспечению нормальных условий

труда и техники безопасности ; затраты на подготовку и освоение

производства ; затраты, связанные с изобретательством и рационализацией ;

текущие затраты, вызванные содержанием и эксплуатацией фондов

природоохранного назначения ; затраты, связанные с управлением

производством ; затраты, связанные с подготовкой и переподготовкой кадров ;

выплаты, предусмотренные законодательством о труде, за непроработанное на

производстве время (оплата основных и дополнительных отпусков и т.д.) ;

Страницы: 1, 2, 3, 4, 5, 6

МЕНЮ

Разработка высоковольтного драйвера газоразрядного экрана на полиимидном носителе

ИНТЕРЕСНОЕ